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에칭실을 복수 장비할 수 있는 신형 멀티 챔버 타입 에칭 장치입니다.
신개발 ICP 에칭 챔버를 2실 장비할 수 있습니다.
이 장치는 종래의 MEMS 프로세스 Si 깊은 파기 에칭이나 석영의 에칭뿐만 아니라 저개구도의 희생층 에칭에도 대응하고 있습니다.
또, 독자적인 Si 에칭 프로세스에 의해, 임프린트 프로세스에도 대응하고 있습니다.
이 장치의 새로운 에칭 프로세스는 정밀한 기판 온도 제어 기구와 웨이퍼 클램프 기구에 의해, 정밀도와 재현성이 뛰어납니다.
또한 고정밀 에칭 모니터를 장비하고 있어 통상에서는 검지 불가능한 저 개구부의 에칭 엔드포인트를 실시간으로 관리할 수 있습니다.
온도 및 가스 비율에 의해 막종·디바이스 구조에 맞춘 고선택비의 에칭 프로세스를 실현하고 있습니다.

디바이스의 종류・프로세스에 맞추어 데미지리스 어싱 챔버 등 이종 프로세스실의 장비가 가능하게 되어 있습니다.
본 장치는 신형 기구의 채용에 의해 양산 프로세스를 크게 개선합니다.
에칭 대상물 : Si , SiO2 , SiC , SiN etc.
대응 웨이퍼 사이즈 : ~8inch Wafer